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本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器,结合目前扫描隧道显微镜(STM)进行纳米加工的特点,设计了该存储器的电路结构及其结构参数,计算出电路的电容矩阵,并用Monte Carlo法对电路特性进行了模拟.结果表明,该存储器与其它单电子存… …   相似文献
程子川  蒋建飞  蔡琪玉 《电子学报》2000,28(11):134-136
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